Одноэлектронный эмиссионно-инжекционный транспорт в микроструктуре с коллоидными квантовыми точками узкозонных полупроводников

Методом аппроксимации вольт-амперных характеристик коллоидных квантовых точек узкозонных полупроводников InSb и PbS показано, что в одноэлектронном режиме транспорт электронов в разных интервалах напряжения определяется одним из конкурирующих процессов – эмиссией из квантовой точки, инжекцией в нее и пролeтом в ней с ограничением тока пространственным зарядом. При напряжении $>$ 0.5 B для одиночных квантовых точек на вольт-амперных характеристиках наблюдались участки нестабильности и провала тока, подобные кулоновской щели. Качественные и числовые сравнительные оценки позволяют считать, что в структуре сегрегированного множества квантовых точек наблюдаются одноэлектронный транспорт и ограничение тока, подобное кулоновской блокаде. Воздействие светом при измерении вольт-амперных характеристик срывает или усиливает эффект, увеличивая или уменьшая ток в зависимости от спектра возбуждающего излучения.