RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 331–335 (Mi phts5053)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок

Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследовано влияние деионизованной воды и прогрева образцов эпитаксиальных пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на их холловские и эллипсометрические параметры. Обработка водой уменьшает показатель преломления естественного окисла Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с 2.1 до 1.2–1.4. Это означает, что происходит введение в окисел вещества с малым показателем преломления, таким как вода. Кипячение в воде приводит к образованию в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te акцепторов с концентрациями до 10$^{19}$ см$^{-3}$. Изменение кислотности среды от щелочной до кислой замедляет скорость образования акцепторов. Прогрев после выдержки в воде также приводит к образованию акцепторов. Сделано заключение, что вода, в том числе присутствующая в слое естественного окисла, приводит к образованию акцепторов в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te. Концентрация акцепторов растет с температурой обработки и количеством доступной воды.

Ключевые слова: CdHgTe, естественный окисел, акцепторы, термообработка.

Поступила в редакцию: 25.11.2020
Исправленный вариант: 07.12.2020
Принята в печать: 16.12.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50734.9560


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:5, 461–465

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024