Применение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий ITO/Al$_{2}$O$_{3}$

На полученные методом электронно-лучевого испарения наноструктурированные оптически прозрачные и проводящие покрытия из оксида индия + олова методом атомно-слоевого осаждения наносились дополнительные слои Al$_{2}$O$_{3}$ нанометровой толщины. Использовались покрытия из оксида индия + олова, содержащие нитевидные кристаллы преимущественно вертикальной ориентации и обладающие эффективным показателем преломления, монотонно убывающим в направлении, перпендикулярном плоскости подложки. Изучалось влияние толщины наносимого слоя Al$_{2}$O$_{3}$ на оптические характеристики получаемых образцов. Показано, что применение метода атомно-слоевого осаждения позволяет равномерно покрывать защитными оболочками нитевидные кристаллы наноструктурированных пленок из оксида индия + олова большой толщины, в которых верхние нити затеняют нижележащие, что позволит получать более стойкие к воздействию внешней среды просветляющие проводящие покрытия с требуемыми параметрами. При нанесении защитного слоя Al$_{2}$O$_{3}$ сохраняется градиентный характер показателя преломления, присущий исходной пленке ITO.