К. А. Дроздов, И. В. Крылов, В. А. Василик, А. Д. Косов, Т. В. Дубинина, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3,страницы 224

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов

К. А. Дроздов^a, И. В. Крылов^a, В. А. Василик^a, А. Д. Косов^a, Т. В. Дубинина^bc, Л. И. Рябова^b, Д. Р. Хохлов^ad

^a Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), 119991 Москва, Россия
^b Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), 119991 Москва, Россия
^c Институт физиологически активных веществ Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская область, Россия
^d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Аннотация: Анализ вольт-амперных характеристик позволил определить механизмы проводимости, соответствующие различным состояниям каналов протекания при резистивных переключениях в пленках порфиразинов. Варьирование температуры, структуры диэлектрической матрицы и типа основных носителей заряда позволило оценить применимость модели проводящих каналов для описания транспорта и определить механизмы проводимости для каждого состояния системы.

Ключевые слова: пленки порфиразинов, транспорт носителей заряда, резистивное переключение.

Поступила в редакцию: 22.10.2020
Исправленный вариант: 12.11.2020
Принята в печать: 12.11.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50598.9540