RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страницы 230–236 (Mi phts5063)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структурные особенности текстурированных пленок оксида цинка, полученных методом ионного распыления

В. Г. Костишинa, А. Ю. Мироновичa, А. В. Тимофеевa, И. М. Исаевa, Р. И. Шакирзяновa, А. И. Рильb, А. А. Сергиенкоa

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
b Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Исследовались текстурированные пленки ZnO, полученные на аморфных подложках методом ионно-лучевого распыления. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что полученные пленки обладают поликристаллической структурой сразу после напыления. Установлено, что при дальнейшем отжиге исследуемых образцов в интервале температур от 200 до 500$^\circ$C происходит рекристаллизация, приводящая к изменению размера зерен и шероховатости поверхности. Обнаружена зависимость интенсивности кристаллизации от условий напыления, которая связана с количеством дефектов в неотожженных пленках. В пленках с изначально более совершенной структурой температурная обработка при 500$^\circ$C привела к росту зерен более чем в 2 раза и уменьшению шероховатости на $\sim$40%.

Ключевые слова: оксид цинка, тонкие пленки, кристаллографическая текстура, отжиг, нанесение пленок ионно-лучевым распылением мишени, атомно-силовая микроскопия, рентгеновская дифрактометрия.

Поступила в редакцию: 26.10.2020
Исправленный вариант: 30.10.2020
Принята в печать: 30.10.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50600.9542


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:3, 308–314

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024