RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страницы 251–255 (Mi phts5066)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием

И. Д. Бреевa, В. Д. Яковлеваa, О. С. Кудрявцевb, П. Г. Барановa, Е. Н. Моховa, А. Н. Анисимовa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва, Россия

Аннотация: Исследовано влияние высокотемпературной (T=1880$^\circ$C) диффузии ионов бериллия и электронного облучения на оптические свойства монокристаллического нитрида алюминия. Показано, что введение Ве в AlN приводит к изменению спектральных характеристик комбинационного рассеяния света и инфракрасного поглощения. Анализ спектров комбинационного рассеяния света и инфракрасного поглощения в кристаллах, содержащих примесь Ве, доказывает, что эта примесь является геттером собственных дефектов, ответственных за желтый цвет кристалла AlN и уширение линий в спектрах.

Ключевые слова: нитрид алюминия, легирование, бериллий, геттер, собственные дефекты, комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция, ифракрасное поглощение.

Поступила в редакцию: 12.11.2020
Исправленный вариант: 23.11.2020
Принята в печать: 23.11.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50603.9554


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:3, 328–332

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024