RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страницы 264–268 (Mi phts5068)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения

В. М. Калыгина, А. В. Цымбалов, А. В. Алмаев, Ю. С. Петрова

Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск Россия

Аннотация: Исследовано влияние топологии электродов на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл/полупроводник/металл. Пленки оксида галлия получали высокочастотным магнетронным распылением мишени Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировые подложки с ориентацией (0001). На поверхности оксидных пленок были сформированы два типа электродов: два параллельных электрода, с межэлектродным расстоянием 250 мкм и встречно-штырьевые. В электродах второго типа расстояние между “пальцами” составляло 50, 30, 10 и 5 мкм. Независимо от типа контактов структуры обнаруживают чувствительность к ультрафиолетовому излучению с длиной волны $\lambda$ = 254 нм. Детекторы второго типа с межэлектродным расстоянием 5 мкм демонстрируют наибольшие значения фототока $I_{\mathrm{ph}}$ = 3.8 мА и удельную обнаружительную способность $D^*$ = 5.54 $\cdot$ 10$^{15}$ см $\cdot$ Гц$^{0.5}\cdot$ Вт$^{-1}$.

Ключевые слова: оксид галлия, RFMS, детекторы, ультрафиолет, электроды.

Поступила в редакцию: 28.10.2020
Исправленный вариант: 03.11.2020
Принята в печать: 03.11.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50605.9545


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:3, 341–345

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024