Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением

Сравниваются измеренные в реальном времени огибающие мощной пикосекундной оптической накачки и собственного стимулированного пикосекундного излучения тонкого слоя GaAs. Объяснение превышения длительности излучения над длительностью накачки базируется на отрицательной обратной связи между интенсивностью излучения и разогревом носителей этим излучением. Главным параметром указанного превышения длительности является характерное время охлаждения носителей заряда, замедляемое из-за разогрева носителей излучением. Отмечается влияние этого времени и на перенормировку запрещенной зоны из-за кулоновского взаимодействия носителей. Та часть представления о пикосекундной динамике интенсивного стимулированного излучения GaAs, которая получена к настоящему моменту в наших с соавторами работах, дана в Заключении.