RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 2, страницы 121–126 (Mi phts5075)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия

Аннотация: При мощной пикосекундной оптической накачке тонкого слоя GaAs в нем образуется интенсивное пикосекундное стимулированное излучение. Спектр излучения представляет собой световой континуум. На базе результатов предыдущих экспериментальных работ сделано следующее. Получены оценки: (а) длин усиления спектральных компонент излучения, т. е. различающихся между собой расстояний, на протяжении которых в активной среде, созданной накачкой, усиливаются различные компоненты излучения; (б) зависимости характерного времени релаксации компонент излучения от их длин усиления. Показано, что спектр произведения длины усиления на коэффициент усиления связывает линейно спектры спонтанного и стимулированного излучений GaAs. Эта связь установлена при насыщении усиления, о котором свидетельствует провал в спектре усиления, “выжженный” интенсивным излучением.

Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, спектральные компоненты излучения, длина усиления, характерное время релаксации, насыщение усиления, связь стимулированного и спонтанного излучений, арсенид галлия.

Поступила в редакцию: 28.09.2020
Исправленный вариант: 10.10.2020
Принята в печать: 10.10.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50496.9526


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:2, 162–167

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024