Метод трехкомпонентной зонной плавки: моделирование концентрационного распределения компонентов в монокристаллах твердых растворов Ge–Si

Дана концепция и теоретическая основа метода трехкомпонентной зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов с использованием затравок из составных компонентов. В пфанновском приближении решена задача аксиального концентрационного распределения компонентов в монокристаллах Ge–Si, выращенных при различных значениях операционных параметров, таких как длина расплавленной зоны и состав исходных макрооднородных стержней твердых растворов. Анализ полученных результатов определяет потенциал метода и оптимальные условия для выращивания монокристаллов с заданными однородным и градиентным составами во всем непрерывном ряду твердых растворов Ge–Si. Показана перспективность метода трехкомпонентной зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов.