RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 1, страницы 3–8 (Mi phts5089)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$

А. В. Марченкоa, Е. И. Теруковbc, Ф. С. Насрединовd, Ю. А. Петрушинa, П. П. Серегинa

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах$^{119}$Sn показано, что атомы германия в структуре аморфных и поликристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ имеют различную симметрию локального окружения (тетраэдрическую в аморфной фазе и октаэдрическую в кристаллической фазе). Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах $^{119m}$Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов $^{119}$Sb и $^{119m}$Te, идентифицированы антиструктурные дефекты олова в узлах сурьмы и теллура кристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$.

Ключевые слова: антиструктурные дефекты, мессбауэровская спектроскопия, Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 21.09.2020
Исправленный вариант: 23.09.2020
Принята в печать: 23.09.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50376.9524


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:1, 1–6

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024