RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 1, страницы 43–48 (Mi phts5095)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Квантово-размерный эффект в кремниевых нанокристаллах при их растворении в модельных биологических жидкостях

М. Б. Гонгальскийa, У. А. Цуриковаa, К. А. Гончарa, Г. З. Гвинджилияa, Л. А. Осминкинаab

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Москва, Россия
b Институт биологического приборостроения Российской академии наук, 142290 Пущино, Московская область, Россия

Аннотация: С использованием методов просвечивающей электронной микроскопии, фотолюминесцентной спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света изучены механизмы растворения пористых кремниевых наночастиц при их инкубации в модельных жидкостях на примере воды и фосфатного солевого буфера (PBS) при температуре 37$^\circ$С. Согласно электронным микрофотографиям, кремниевые наночастицы состоят из нанокристаллов кремния (нк-Si) размером 2–10 нм и пор. Показано, что при инкубации кремниевых наночастиц в воде происходит разгорание их фотолюминесценции, сопровождающееся незначительным уменьшением размеров нк-Si, что связывается с пассивацией дефектов и стабилизацией оксидной оболочки нанокристаллов. При инкубации в PBS происходит значительное тушение фотолюминесценции и исчезновение сигнала комбинационного рассеяния от наночастиц, что свидетельствует об их быстром растворении. На основании полученных экспериментальных данных представлена феноменологическая модель, описывающая квантово-размерные эффекты, возникающие в нк-Si при их растворении.

Ключевые слова: наночастицы пористого кремния, кремниевые нанокристаллы, квантово-размерный эффект, фотолюминесценция, комбинационное рассеяние света.

Поступила в редакцию: 01.09.2020
Исправленный вариант: 09.09.2020
Принята в печать: 09.09.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50386.9517


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:1, 61–65

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024