Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда

Исследованы нелегированные нанокристаллические алмазные пленки толщиной менее одного мкм, выращенные на кремнии Si(100) методом плазмохимического осаждения из газовой фазы в плазме, поддерживаемой СВЧ излучением на частоте 2.45 ГГц. Для получения алмазных диэлектрических пленок с максимальным удельным сопротивлением было исследовано осаждение пленок в трех газовых смесях: водород-метановой смеси, в водород-метановой смеси с добавкой кислорода и в водород-метановой смеси с добавкой инертного газа. Установлена связь между условиями роста, структурными и электрическими свойствами нанокристаллических алмазных пленок. Показано, что для применения нанокристаллических алмазных пленок в качестве эффективных диэлектриков необходим предварительный высокотемпературный отжиг пленок, например, в вакууме при температуре 600$^\circ$С в течение одного часа.