RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1289–1295 (Mi phts5102)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

М. О. Петрушковa, Д. С. Абрамкинab, Е. А. Емельяновa, М. А. Путятоa, А. В. Васевa, И. Д. Лошкаревa, М. Ю. Есинa, О. С. Комковc, Д. Д. Фирсовc, В. В. Преображенскийa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием переходных слоев AlSb/As/Si выращены пленки GaSb на вицинальных подложках Si(001), отклоненных на 6$^\circ$ к плоскости (111). Исследовано влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства и характер рельефа поверхности. Обнаружено, что пленки GaSb(00$\bar1$)/Si характеризуются лучшим структурным совершенством, меньшей концентрацией точечных дефектов и более планарным и изотропным рельефом поверхности по сравнению с пленками GaSb(001). Возможной причиной наблюдаемых отличий у пленок GaSb с различной ориентацией является повышенная плотность антифазных доменов в пленках GaSb(001). Морфологические особенности выращенных пленок обусловлены в основном наличием краев террас и в меньшей степени анизотропией встраивания адатомов Ga в края террас.

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaSb на Si(001), кристаллографическая ориентация пленки, структурное совершенство, морфология поверхности.

Поступила в редакцию: 03.08.2020
Исправленный вариант: 10.08.2020
Принята в печать: 10.08.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50227.9496


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:12, 1548–1554

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024