RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1296–1301 (Mi phts5103)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

О структуре тонких пленок монооксида германия

К. Н. Астанковаa, В. А. Володинab, И. А. Азаровab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет

Аннотация: С помощью оптических (спектроскопия комбинационного рассеяния света, инфракрасная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) и электронно-микроскопических методов установлено, что атомная структура пленок монооксида германия стехиометрического состава соответствует модели случайных связей, без формирования нанокластеров германия. Данная структура метастабильна и трансформируется в структуру случайной фазы при температуре 260$^\circ$C и выше. Причиной метастабильности твердого GeO может являться наличие внутренних механических напряжений в атомной сетке.

Ключевые слова: монооксид германия, метастабильность, модель случайных связей.

Поступила в редакцию: 24.08.2020
Исправленный вариант: 28.08.2020
Принята в печать: 28.08.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50228.9508a


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:12, 1555–1560

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024