Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe

Представлены результаты исследования оптического пропускания, фотопроводимости, фотолюминесценции и рентгеновской дифракции образцов твердых растворов HgCdTe с большим (мольная доля 0.7–0.8) содержанием CdTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии. Показано, что исследованный материал обладал значительной степенью разупорядочения твердого раствора, которая была больше в структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs, в отличие от пленок, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Исследования фотолюминесценции позволили обнаружить состояния в запрещенной зоне, которые ранее считались не типичными для пленок HgCdTe, выращенных на подложках GaAs, а только для пленок, выращенных на Si. В целом подтверждено высокое качество материала с большим содержанием CdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и используемого при создании широко востребованных в настоящее время наноструктур HgTe/HgCdTe.