RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1309–1319 (Mi phts5105)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе “пленка–подложка”

Л. Н. Маскаеваa, А. В. Поздинa, В. Ф. Марковab, В. И. Воронинc

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Исследована роль подложки различной природы на фазовый состав, морфологию и механические напряжения на интерфейсе “пленка–подложка” при химическом осаждении слоев CdPbS на кремнии (111), ситалле, плавленом кварце, ITO-покрытии, предметном и пористом стеклах. Высказано предположение, что выявленные особенности связаны с различными условиями зарождения и роста пленок. Установлено, что на плавленом кварце формируется однофазная пленка твердого раствора Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S в отличие от остальных субстратов, на которых осаждаются слои, содержащие дополнительно от 2 до 8 мол% рентгеноаморфной фазы CdS. Показано, что увеличение величины механических напряжений сжатия на интерфейсе “пленка–подложка” с -9.32 до -121.79 кН/м$^{2}$ в ряду пористое стекло–предметное стекло–ситалл–кремний (111)–плавленый кварц асимбатно значениям температурных коэффициентов расширения этих подложечных материалов.

Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, твердые растворы Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S, механические напряжения сжатия.

Поступила в редакцию: 17.08.2020
Исправленный вариант: 24.08.2020
Принята в печать: 24.08.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50230.9506


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:12, 1567–1576

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024