Двухканальный электронный транспорт в подвешенных квантовых точечных контактах с боковыми затворами

Экспериментально изучен кондактанс подвешенного квантового точечного контакта, изготовленного на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом, снабженного боковыми затворами, отделенными от микросужения с помощью литографических траншей. Затворные зависимости кондактанса таких структур соответствуют необычному двухканальному режиму с независимым квантованием кондактанса каналов: кондактансом отдельных каналов можно независимо управлять с помощью двух боковых затворов. Рассмотрен электростатический механизм образования двухканальной структуры внутри одиночного сужения, связанный с латеральным перераспределением низкоподвижных $X$-долинных электронов, содержащихся в сверхрешеточных слоях гетероструктуры, приводящий к образованию в средине квантового точечного контакта потенциального барьера, разделяющего электроны проводимости на два канала, симметрично разнесенные к литографическим траншеям, задающим геометрию наноструктуры.