RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1350–1354 (Mi phts5110)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$

И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы соединений In$_{2}$S$_{3}$, AgIn$_{5}$S$_{8}$ и твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$, определен их состав и структура. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Рассчитаны параметры элементарной ячейки указанных монокристаллов и построена их концентрационная зависимость. Показано, что в исследуемой системе выполняется закон Вегарда. Исследованы спектры пропускания в области края фундаментального поглощения при комнатной температуре и определена ширина запрещенной ($E_{g}$) для указанных монокристаллов. Показано, что $E_{g}$ с составом $x$ изменяется с отклонением от линейности.

Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, твердые растворы, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.

Поступила в редакцию: 10.08.2020
Исправленный вариант: 15.08.2020
Принята в печать: 15.08.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50236.9500


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:12, 1611–1615

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024