RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1368–1373 (Mi phts5113)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников

Е. В. Калининаa, А. А. Каташевab, Г. Н. Виолинаb, А. М. Стрельчукa, И. П. Никитинаa, Е. В. Ивановаa, В. В. Забродскийa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Представлены результаты исследования различными методиками исходных структур $n$-4$H$-SiC, представляющих высоколегированную $n^{+}$-подложку с выращенным химическим осаждением из газовой фазы эпитаксиальным слоем толщиной 5 мкм. Концентрация носителей заряда в эпитаксиальном слое в диапазоне $N_{d}-N_{a}$ = (1–50) $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$. Привлекая результаты рентгеноструктурного анализа, было установлено, что для получения эффективных 4$H$-SiC ультрафиолетовых фотоприемников желательно иметь структуры эпитаксиальных слоев, в которых наблюдается эффект геттерирования точечных дефектов, что приводит к росту времени жизни носителей заряда и увеличению значений квантовой эффективности. Фоточувствительность исследованных образцов значительно зависит от степени дефектности в CVD эпитаксиальном слое, приводящей к изменению времени жизни носителей заряда и, как следствие, к изменению квантовой эффективности 4$H$-SiC ультрафиолетовых фотоприемников.

Ключевые слова: карбид кремния, рентгеноструктурный анализ, эффект геттерирования, квантовая эффективность.

Поступила в редакцию: 03.08.2020
Исправленный вариант: 10.08.2020
Принята в печать: 10.08.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50239.9498


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:12, 1628–1633

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024