Резонансное рассеяние света оптическими фононами в кристалле алмаза с азотозамещенной вакансией

Сообщается об обнаружении явления резонансного усиления интенсивности рассеяние света оптическими фононами в кристаллах алмаза c азотозамещенной вакансией. Установлено, что при этом определяющую роль в усиления интенсивности такого рассеяния играет процесс необычного резонанса с электронными переходами для оптически активных примесей азота с обеими бесфононными линиями: для нейтрального NV$^{0}$-центра при 575.468 нм и для отрицательно заряженного NV$^{-}$-центра при 637.874 нм. Полученные экспериментальные данные указывают на обнаружение сильного резонансного усиления интенсивности во входном канале рассеяния для NV$^{0}$-центра и в выходном канале для NV$^{-}$-центра.