А. С. Алекперов, А. О. Дашдемиров, Н. А. Исмайылова, С. Г. Джабаров, “Получение гетероперехода Ge–GeS : Nd и исследование спектральной характеристики”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11,страницы 1193

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Получение гетероперехода Ge–GeS : Nd и исследование спектральной характеристики

А. С. Алекперов^a, А. О. Дашдемиров^a, Н. А. Исмайылова^b, С. Г. Джабаров^ac

^a Азербайджанский государственный педагогический университет им. Н. Туси, Баку, Азербайджан
^b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^c Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованы технология получения гетероперехода Ge–GeS : Nd, а также относительные спектральные характеристики квантовой эффективности полученного гетероперехода при разных дозах $\gamma$-облучения. Установлено, что при дозе облучения 30 крад фоточувствительность увеличивается в спектральном диапазоне 0.4–2.0 мкм. С увеличением дозы облучения до 100 крад фоточувствительность гетероперехода значительно уменьшается.

Ключевые слова: слоистый монокристалл, гетеропереход, фоточувствительность, $\gamma$-излучение, квантовая эффективность, спектральная характеристика.

Поступила в редакцию: 06.04.2020
Исправленный вариант: 12.04.2020
Принята в печать: 23.06.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50085.9401