RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страницы 1233–1237 (Mi phts5125)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Синтез наночастиц карбида кремния методом лазерного пиролиза смеси моносилана и ацетилена

И. А. Ершов, Л. Д. Исхакова, В. И. Красовский, Ф. О. Милович, С. И. Расмагин, В. И. Пустовой

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Определены условия лазерно-стимулированной реакции синтеза наночастиц карбида кремния и проведена их характеризация. Реакция лазерного синтеза частиц SiC в газовой фазе наблюдалась при соотношении потоков SiH$_{4}$/C$_{2}$H$_{2}$ в интервале 1.6–3.2. Температура в области зоны реакции составила $\sim$1400–1500$^\circ$C. Получены наночастицы карбида кремния диаметром $\sim$6 нм и исследован их состав.

Ключевые слова: наночастицы карбида кремния, спиновое состояние, лазерный пиролиз, синтез наночастиц.

Поступила в редакцию: 29.06.2020
Исправленный вариант: 14.07.2020
Принята в печать: 14.07.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50094.9476


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:11, 1467–1471

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024