RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1011–1017 (Mi phts5132)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения

О. С. Комковa, С. А. Хахулинa, Д. Д. Фирсовa, П. С. Авдиенкоb, И. В. Седоваb, С. В. Сорокинb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: При молекулярно-пучковой эпитаксии GaSe на подложках GaAs(001) на гетероинтерфейсе GaSe/GaAs возникают встроенные электрические поля, о наличии которых свидетельствуют наблюдаемые в спектрах фотоотражения осцилляции Франца–Келдыша. Различные значения напряженностей этих полей (от 9.8 до 17.6 кВ/см) могут быть связаны как с диффузией атомов Se в подложку (буферный слой) GaAs, так и c формированием при эпитаксиальном росте переходных субмонослоев. На интерфейсе структур, выращенных на подложках GaAs(111)B и GaAs(112), встроенные поля не наблюдаются, что может быть объяснено меньшей эффективностью проникновения Se в подложку с вышеуказанными ориентациями по сравнению с GaAs(001).

Ключевые слова: GaSe, слоистые полупроводники, модуляционная оптическая спектроскопия, молекулярно-пучковая эпитаксия, фотоотражение.

Поступила в редакцию: 27.04.2020
Исправленный вариант: 20.05.2020
Принята в печать: 20.05.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49936.9421


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1198–1204

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024