Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения

Показано, что описание дисперсионного транспорта ионов H$^{+}$ на основе модели многократного захвата позволяет количественно описать кинетику образования поверхностных состояний в МОП-структурах после ионизирующего облучения. Проведено моделирование временных зависимостей плотности поверхностных состояний от толщины подзатворного диэлектрика, напряженности и полярности электрического поля. Показано, что кинетика образования поверхностных состояний определяется уровнями локализованных состояний ионов водорода в диапазоне 0.76–0.98 эВ, концентрацией ловушек как в объeме, так и в приграничной к подложке области SiO$_{2}$ и зависит от начального распределения ионов H$^{+}$.