RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1052–1057 (Mi phts5137)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As–Ge–Te

А. И. Исаев, Х. И. Мамедова, С. И. Мехтиева, Р. И. Алекберов

Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа, рамановской спектроскопии, измерением оптического пропускания и плотности исследованы структура и оптические свойства пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника As–Ge–Te. Определены основные структурные элементы и химические связи, образующие аморфную матрицу, а также оптическая ширина запрещенной зоны. Полученные результаты объяснены с учетом основных принципов химического упорядочения и параметров ближнего порядка в расположении атомов.

Ключевые слова: координационные числа, когезионная энергия, плотности упаковки, компактности.

Поступила в редакцию: 01.06.2020
Исправленный вариант: 08.06.2020
Принята в печать: 08.06.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49942.9454


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1241–1246

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024