Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT

Показано, что использование обеих сторон солнечных элементов, созданных с использованием гетеропереходной технологии, позволяет повысить эффективность солнечных элементов. Различие при освещении лицевой и тыльной сторон связано с преобразованием синего участка спектра, что показано на примере спектральной дисперсии квантового выхода. Средняя разница между квантовым выходом для двух сторон составила $\sim$11%. Плотность тока короткого замыкания для лицевой стороны при мощности солнечного спектра на уровне моря от 400 до 1100 нм равна 36.3 мА/см$^{2}$, а для тыльной стороны – 32.7 мА/см$^{2}$. Снижение составило 9.7%.