Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников

Представлены результаты исследований и оптимизации условий формирования гетероинтерфейсов типа GaAs–InGaAsP при использовании прямого межмолекулярного соединения (спекания) пластин с гетероструктурой активной области на подложке InP и распределенных брэгговских отражателей на подложках GaAs в процессе изготовления гибридных гетероструктур длинноволновых вертикально-излучающих лазеров. Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников. Показано, что в случае неполного удаления оксидных пленок при подготовке пластин перед спеканием и(или) наличии адсорбированной воды на соединяемых поверхностях пластин интерфейс спекания содержит большое количество аморфных внедрений, по всей видимости, связанных с оксидами элементов III группы. Оптимизация режимов формирования заращенного туннельного перехода, формируемого на поверхности гетероструктуры на пластине InP, позволила снизить шероховатость поверхности до 1 нм и обеспечить толщину интерфейса спекания GaAs–InGaAsP не более 5 нм, при этом дислокации или другие протяженные дефекты в области гетероинтерфейсов спекания не обнаружены. Для созданных по разработанной технологии гибридных гетероструктур и кристаллов вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм характерна эффективная лазерная генерация при непрерывной накачке в широком температурном диапазоне, что свидетельствует о высоком оптическом качестве гетероинтерфейсов спекания в структуре вертикально-излучающего лазера.