RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1100–1105 (Mi phts5144)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Физико-химические взаимодействия в системе GeSb$_{2}$Te$_{4}$–PbSb$_{2}$Te$_{4}$

Г. Р. Гурбанов, М. Б. Адыгезалова

Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, г. Баку

Аннотация: Впервые комплексными методами (дифференциально-термический, микроструктурный, рентгенофазовый анализы измерением микротвердости и определением плотности) физико-химического анализа исследован разрез GeSb$_{2}$Te$_{4}$–PbSb$_{2}$Te$_{4}$ квазитройной системы GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$–PbTe и построена диаграмма состояния. Установлено, что разрез является частично квазибинарным сечением квазитройной системы GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$–PbTe. Выявлена область твердых растворов на основе GeSb$_{2}$Te$_{4}$ (15 мол.%, PbSb$_{2}$Te$_{4}$). При соотношении исходных компонентов 1:1 образуется конгруэнтно-плавящееся соединение GePbSb$_{4}$Te$_{8}$. Методом химических транспортных реакций получены монокристаллы четверного соединения GePbSb$_{4}$Te$_{8}$. Определены параметры элементарной ячейки GePbSb$_{4}$Te$_{8}$, кристаллизующейся в ромбической сингонии: $a$ = 5.06 $\mathring{\mathrm{A}}$, $b$ = 9.94 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 11.62 $\mathring{\mathrm{A}}$. Исследованием температурных зависимостей некоторых электрофизических параметров соединения GePbSb$_{4}$Te$_{8}$ и твердого раствора (GeSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{x}$ (PbSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{1-x}$ установлено, что сплавы имеют $p$-тип проводимости.

Ключевые слова: квазитройные системы, монокристаллы, физико-химический анализ, твердые растворы, химические транспортные реакции.

Поступила в редакцию: 19.05.2020
Исправленный вариант: 27.05.2020
Принята в печать: 02.06.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49951.9442


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1304–1309

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024