RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1106–1111 (Mi phts5145)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур

Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Комбинированным методом, при котором плазмохимическое травление применяется в паре с жидкостным (в растворах KOH или соляной кислоты), создавался рельеф на поверхности GaN, предварительно освобожденной от ростовой подложки. Изучалась зависимость получаемого рельефа от последовательности применяемых операций. Показано, что травление в растворе KOH с последующей стадией реактивного ионного травления обеспечивает появление на поверхности усеченных пустотелых конусов. В экспериментах также была обнаружена способность раствора соляной кислоты к травлению исключительно наноразмерных элементов рельефа GaN, возникающих при плазмохимическом травлении поверхности. Как следствие, плазмохимическое травление образца с последующим погружением в раствор соляной кислоты создает на его поверхности объекты цилиндрической формы, переходящие в основании в конические или сильно искаженные пирамидальные структуры. Появление рельефа такого вида может быть объяснено превалированием химической составляющей плазмохимического травления по мере удаления от поверхности образца. Дальнейшая оптимизация параметров рельефа, получаемого в результате комбинированного травления, возможна благодаря варьированию режимов применяемых операций.

Ключевые слова: нитрид галлия, рельеф, реактивное ионное травление, жидкостное травление, светоизлучающий диод, светоизлучающий кристалл.

Поступила в редакцию: 01.05.2020
Исправленный вариант: 01.05.2020
Принята в печать: 01.05.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49952.9465


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1310–1314

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024