Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. Н. Сибирев, “Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10,страницы 1117

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений

Н. В. Сибирев^a, Ю. С. Бердников^b, В. Н. Сибирев^c

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^b Санкт-Петербургский государственный университет
^c Санкт-Петербургский государственный горный университет

Аннотация: Изучено влияние упругих напряжений на кристаллическую фазу Ga(As, P) нитевидных нанокристаллов. Показано, что упругие напряжения могут приводить к устойчивому росту нитевидных нанокристаллов в метастабильной фазе. Описана возможность смены кристаллической фазы внутри GaP нитевидного нанокристалла после появления Ga(AsP)-вставки.

Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, политипизм, фосфид галлия, вюрцит.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49954.28