А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10,страницы 1122

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами

А. Э. Климов^ab, А. Н. Акимов^a, И. О. Ахундов^a, В. А. Голяшов^ac, Д. В. Горшков^a, Д. В. Ищенко^a, Е. В. Матюшенко^a, И. Г. Неизвестный^ab, Г. Ю. Сидоров^a, С. П. Супрун^a, А. С. Тарасов^a, О. Е. Терещенко^ac, В. С. Эпов^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный технический университет
^c Новосибирский государственный университет

Аннотация: Исследованы характеристики МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составами вблизи инверсии зон, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что ряд их особенностей могут быть вызваны сегнетоэлектрическим фазовым переходом с температурой Кюри в области примерно $T\approx$ 15–20 K.

Ключевые слова: твердый раствор PbSnTe : In, эффект поля, МДП-структура, сегнетоэлектрический фазовый переход.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49955.29