RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1158–1162 (Mi phts5154)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот

Д. И. Дюковa, А. Г. Фефеловa, А. В. Коротковab, Д. Г. Павельевb, В. А. Козловcb, Е. С. Оболенскаяb, А. С. Ивановab, С. В. Оболенскийb

a ОАО Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Приводятся результаты теоретического и экспериментального сравнения эффективности преобразования сигналов диодами на основе сверхрешеток с малым числом периодов ($N$-образная вольт-амперная характеристика) и перспективными умножительными гетеробарьерными диодами (варакторами) (вольт-фарадная характеристика параболического вида).

Ключевые слова: диоды на основе сверхрешеток, нелинейная вольт-амперная характеристика, варактор, вольт-фарадная характеристика параболического вида, умножители частоты сигналов.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49961.43


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1360–1364

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024