RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1163–1168 (Mi phts5155)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм

Л. А. Кушковab, В. В. Уточкинab, В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, К. Е. Кудрявцевa, В. И. Гавриленкоa, Н. С. Куликовab, М. А. Фадеевa, В. В. Румянцевab, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, А. А. Разоваab, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В гетероструктурах с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe в области длин волн 3–4 мкм выполнены исследования стимулированного излучения на межзонных переходах в зависимости от длины волны накачки. Минимальное значение пороговой плотности мощности и максимальная температура, при которых удается получить стимулированное излучение, соответствуют энергиям кванта накачки вблизи ширины запрещенной зоны барьеров. В структуре с толщиной покровного слоя 150 нм при непрерывной накачке и температурах выше 200 K было обнаружено структурное уширение спектра излучения, связываемое с проявлением эффекта Штарка, возникающего из-за влияния электрического поля области пространственного заряда поверхностного барьера.

Ключевые слова: кадмий–ртуть–теллур, стимулированное излучение, окно прозрачности атмосферы, эффект Штарка.

Поступила в редакцию: 10.06.2020
Исправленный вариант: 17.06.2020
Принята в печать: 17.06.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49962.44


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1365–1370

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024