RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1169–1173 (Mi phts5156)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии

В. В. Уточкинa, В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, В. И. Гавриленкоa, Н. С. Куликовa, М. А. Фадеевa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, А. А. Разоваa, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В двух волноводных гетероструктурах с массивами квантовых ям Hg$_{0.892}$Cd$_{0.108}$Te/Cd$_{0.63}$Hg$_{0.37}$Te толщиной 6.1 нм и Hg$_{0.895}$Cd$_{0.105}$Te/Cd$_{0.66}$Hg$_{0.34}$Te толщиной 7.4 нм при 8 K впервые получено стимулированное излучение на длинах волн 10.3 и 14 мкм при непрерывном оптическом возбуждении. Показано, что благодаря наличию Cd в квантовых ямах уменьшается влияние флуктуаций толщины квантовых ям на энергию межзонных переходов в ней, что в итоге может являться причиной существенного уменьшения пороговой интенсивности для генерации стимулированного излучения.

Ключевые слова: HgCdTe, квантовые ямы, стимулированное излучение, непрерывная генерация.

Поступила в редакцию: 10.06.2020
Исправленный вариант: 17.06.2020
Принята в печать: 17.06.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49963.45


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1371–1375

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024