RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 846–854 (Mi phts5158)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Влияние граничных условий на высокочастотную электропроводность тонкого проводящего слоя в продольном магнитном поле

И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, П. А. Кузнецов

Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова

Аннотация: В рамках кинетического подхода решена задача о высокочастотной электропроводности тонкого проводящего слоя в продольном магнитном поле с учетом диффузно-зеркальных граничных условий. Коэффициенты зеркальности поверхностей слоя предполагаются различными. Получено аналитическое выражение для безразмерной интегральной проводимости как функции безразмерных параметров: толщины слоя, частоты электрического поля, индукции магнитного поля, химического потенциала и коэффициентов зеркальности поверхностей. Рассмотрены предельные случаи вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведен сравнительный анализ теоретических расчетов с экспериментальными данными. Проиллюстрирован метод определения коэффициентов зеркальности и длины свободного пробега носителей заряда по продольному магнетосопротивлению тонкой металлической пленки.

Ключевые слова: кинетическое уравнение, функция распределения, коэффициент зеркальности, тонкий слой, электропроводность.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49819.11


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1039–1046

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024