RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 859–864 (Mi phts5160)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$

А. К. Кавеевa, А. Г. Банщиковa, А. Н. Терпицкийa, В. А. Голяшовb, О. Е. Терещенкоb, К. А. Кохc, Д. А. Естюнинd, А. М. Шикинd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
d Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Впервые показано, что субнанометровые покрытия Со, нанесенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$ при температуре 330$^\circ$C, открывают энергетическую щель в спектре топологических поверхностных состояний в области точки Дирака, со смещением положения точки Дирака, вызванным предварительным осаждением адсорбата при комнатной температуре. Ширина щели составляет 21 $\pm$ 6 мэВ. Температурно-зависимые измерения в диапазоне 15–150 K не показали изменения ширины энергетической щели.

Ключевые слова: топологические изоляторы, спинтроника, энергетическая щель в точке Дирака, легирование.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49821.13


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1051–1055

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024