RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 865–867 (Mi phts5161)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку

А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Описан процесс изготовления омических контактов к слою алмазоподобного углерода (DLC) при осаждении на него последовательно металлических слоев Au/Mo/Ti. Контакты имели хорошие механические и адгезионные свойства. Их удельное контактное сопротивление варьировалось от 1.4 $\cdot$ 10$^{-4}$ до 6.4 $\cdot$ 10$^{-5}$ Ом $\cdot$ см$^{2}$ в зависимости от толщины слоя DLC. Изучена температурная зависимость слоевого сопротивления пленок. Показано, что тонкие слои DLC обеспечивают лучшие характеристики омического контакта из-за их более равномерной графитизации в процессе термического отжига.

Ключевые слова: алмазоподобный углерод, омические контакты, плазмохимическое осаждение, монокристаллический алмаз, термический отжиг.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49822.14


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1056–1058

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025