RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 873–877 (Mi phts5163)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения

А. В. Галееваa, А. С. Казаковa, А. И. Артамкинa, С. А. Дворецкийb, Н. Н. Михайловb, М. И. Банниковc, С. Н. Даниловd, Л. И. Рябоваe, Д. Р. Хохловac

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
d Университет Регенсбурга, Регенсбург D-93053, Германия
e Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет

Аннотация: Изучена фотопроводимость, индуцированная мощным лазерным излучением с частотой 2 ТГц, в эпитаксиальных структурах на основе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te. Анализ экспериментальных данных, полученных для образцов с варьируемыми геометрическими параметрами, позволил выявить особенности кинетики фотоотклика, обусловленного транспортом в объеме, и нелокального отклика. Показано, что задержанный характер фотопроводимости обеспечивается неравновесными процессами с участием объемных носителей.

Ключевые слова: фотопроводимость, топологическая фаза, теллурид кадмия-ртути, терагерцовый диапазон спектра.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49824.16


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1064–1068

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024