RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 888–895 (Mi phts5166)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Терагерцовые дисперсия и усиление при стриминге электронов в графене при 300 K

А. А. Андронов, В. И. Позднякова

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Дана интерпретация недавних наблюдений, выполненных группой T. Otsuji, Sendai, перехода при температуре $T$ = 300 K от поглощения к усилению при прохождении терагерцового излучения через сэндвичи $\langle$гексагональный нитрид бора$\rangle$-графен с множественными затворами на поверхности при росте электрического поля в графене. Показано, что эти эффекты связаны с дисперсией и отрицательной проводимостью вблизи пролетной частоты электронов в импульсном пространстве при стриминге (анизотропном распределении) в графене в сильном электрическом поле. На основе этих данных предложен универсальный перестраиваемый терагерцовый генератор – сэндвич с графеном, к которому приложено напряжение, с пластиной высокоомного кремния (выполняющего роль резонатора) на сэндвиче. Этот терагерцовый генератор является полным аналогом СВЧ генератора, осуществленного на кристалле InP группой Л.Е. Воробьева, Санкт-Петербург.

Ключевые слова: ТГц излучение, графен, стриминг электронов, отрицательная проводимость.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49827.19


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1078–1085

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025