RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 902–905 (Mi phts5168)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства

Г. Э. Цырлинabcd, Р. Р. Резникd, А. Е. Жуковa, Р. А. Хабибуллинe, К. В. Маремьянинfg, В. И. Гавриленкоfg, С. В. Морозовfg

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский научный центр РАН
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
e Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
f Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
g Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Приведены данные по синтезу и характеризации структур для квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона в системе материалов AlGaAs/GaAs на подложках GaAs с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассматриваются особенности, необходимые для реализации подобных структур. Показано, что для данной геометрии наблюдается практически одномодовая генерация на частоте $\sim$3 ТГц вплоть до температуры $\sim$60 K.

Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, молекулярно-пучковая эпитаксия, терагерцовое излучение, полупроводниковые наноструктуры.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49829.21


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1092–1095

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024