Физика и техника полупроводников,
2020 , том 54, выпуск 9, страницы 902–905
(Mi phts5168)
Эта публикация цитируется в
5 статьях
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства Г. Э. Цырлин abcd ,
Р. Р. Резник d ,
А. Е. Жуков a ,
Р. А. Хабибуллин e ,
К. В. Маремьянин fg ,
В. И. Гавриленко fg ,
С. В. Морозов fg a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) c Санкт-Петербургский научный центр РАН d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики e Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва f Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород g Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Аннотация:
Приведены данные по синтезу и характеризации структур для квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона в системе материалов AlGaAs/GaAs на подложках GaAs с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассматриваются особенности, необходимые для реализации подобных структур. Показано, что для данной геометрии наблюдается практически одномодовая генерация на частоте
$\sim$ 3 ТГц вплоть до температуры
$\sim$ 60 K.
Ключевые слова:
квантово-каскадный лазер, молекулярно-пучковая эпитаксия, терагерцовое излучение, полупроводниковые наноструктуры. Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
DOI:
10.21883/FTP.2020.09.49829.21
© , 2024
Полный текст:
PDF файл (451 kB)
