RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 906–912 (Mi phts5169)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот

В. В. Румянцевab, К. В. Маремьянинab, А. А. Разоваab, С. М. Сергеевa, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Проведены исследования фотоотклика в диапазоне частот 0.15 – 15 ТГц в эпитаксиальных слоях HgCdTe с концентрацией кадмия от 15.2 до 19.2%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что узкозонные и бесщелевые твердые растворы HgCdTe могут быть использованы в качестве приемников как терагерцового, так и субтерагерцового излучения с характерным временем отклика 2 – 4 нс и величиной чувствительности, приближающейся к широко используемому в этом диапазоне приемнику на основе $n$-InSb.

Ключевые слова: терагерцовое излучение, HgCdTe, фотоэлектрические приемники, фотопроводимость.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49830.22


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1096–1102

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024