Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур, облученных $\gamma$-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике

Рассмотрен способ определения параметров и местоположения различных радиационных дефектов в МДЦ структурах, подвергшихся воздействию проникающего излучения при положительном и отрицательном смещениях на полевом электроде, из анализа нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ). Сопоставление результатов измерения НЕСГУ и вольтфарадных характеристик позволяет определить дозовые зависимости плотности поверхностных состояний (ПС) и объемных дефектов в диэлектрике. В объеме диэлектрика при облучении происходит образование новых радиационных дефектов, что приводит к появлению сквозного тока и препятствует формированию стабильного инверсного слоя на поверхности полупроводника. Полярность напряжения оказывает слабое влияние на генерацию и ионизацию центров в диэлектрике, но плотность ПС вблизи середины запрещенной зоны кремния растет существенно быстрее при положительном смещении.