RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 918–921 (Mi phts5171)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии

В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведен анализ скоростей релаксации состояний доноров мышьяка в германии при взаимодействии с акустическими фононами в зависимости от одноосной деформации сжатия кристалла в направлении [110] при низких температурах ($<$ 10 K). Показано, что при оптическом возбуждении происходит формирование инверсной заселенности уровней донора, зависящей от величины деформации кристалла, что дает основания предположить возможность эффекта стимулированного излучения в ТГц диапазоне частот на внутрицентровых переходах мелких доноров мышьяка при их оптическом возбуждении. Показано, что одноосная деформация в направлении [110] может приводить к переключению рабочего перехода и, следовательно, к изменению частоты стимулированного излучения.

Ключевые слова: германий, мелкие доноры, релаксация, излучение фононов.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49832.24


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1108–1111

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024