В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9,страницы 929

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне

В. В. Уточкин^ab, М. А. Фадеев^a, С. С. Криштопенко^c, В. В. Румянцев^ab, В. Я. Алешкин^ab, А. А. Дубинов^ab, С. В. Морозов^ab, Б. Р. Семягин^d, М. А. Путято^d, Е. А. Емельянов^d, В. В. Преображенский^d, В. И. Гавриленко^ab

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Laboratoire Charles Coulimb, CNRS & Universite Montpellier, 34095 Montpellier, France
^d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции волноводных гетероструктур с квантовыми ямами AlSb/InAs/GaInSb/InAs/AlSb, предназначенных для генерации излучения на межзонных переходах в среднем инфракрасном диапазоне. Обнаруженные спектральные линии сопоставляются с расчетами зонной структуры.

Ключевые слова: квантовая яма, InAs/GaInSb, фотолюминесценция, волноводная гетероструктура.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49834.26