RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 938–944 (Mi phts5175)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала

А. А. Ревинab, А. М. Михайловаab, А. А. Конаковab, В. Н. Шастинb

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: В рамках приближения огибающей функции рассчитаны волновые функции низколежащих $1s(A_{1})$-, $2s$-, $2p_{0}$-, $2p_\pm$-, $3p_{0}$-состояний мелких донорных центров P, As, Sb в германии с учетом короткодействующего потенциала примеси. Последний построен индивидуально для каждой примеси с учетом пространственной дисперсии диэлектрической проницаемости и различия между ионными остовами германия и примесного центра. Уравнение для огибающей решалось с использованием вариационного метода Ритца, при этом выбранные пробные функции орбитально-невырожденных $s$-состояний характеризуются двумя пространственными масштабами: первый, порядка эффективного боровского радиуса донора, отвечающий дальнодействующей части потенциала, и второй, на порядок меньший, моделирующий отклик электрона на короткодействующую часть потенциала донора. Электронная плотность в основном состоянии доноров смещается к ядру, что обусловлено учетом притягивающего потенциала “центральной ячейки”. Огибающие функции $p$-состояний в свою очередь построены так, что являются ортогональными огибающим в основном состоянии для каждого примесного центра, и в отличие от предыдущих работ различны для разных доноров.

Ключевые слова: германий, мелкие доноры, короткодействующий потенциал, приближение огибающей функции.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49836.30


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2022, 54:9, 1127–1133

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024