И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9,страницы 945

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах

И. Ю. Забавичев^ab, А. С. Пузанов^ab, С. В. Оболенский^ab, В. А. Козлов^c

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Филиал Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики "Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова"
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено численное моделирование изменения подвижности носителей заряда после радиационного воздействия в GaAs-структурах. Для каждого исследуемого потенциала рассеяния получены значения модельных параметров, при которых результаты расчета согласуются с экспериментальными данными. Впервые показано, что вид потенциала рассеяния на радиационных дефектах определяет временную и пространственную динамику всплеска скорости в коротких структурах.

Ключевые слова: метод Монте-Карло, кластер радиационных дефектов, эффект всплеска скорости.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49837.31