RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 974–979 (Mi phts5181)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Дифракционная селекция мод в гетеролазерах с планарными брэгговскими структурами

Н. С. Гинзбургab, А. С. Сергеевa, Е. Р. Кочаровскаяa, А. М. Малкинa, Е. Д. Егороваab, В. Ю. Заславскийab

a Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: В рамках метода связанных волн, дополненного квазиоптическим приближением, исследована возможность дифракционной селекции мод по поперечному индексу в лазерах с брэгговскими резонаторами планарной геометрии. Определены допустимые значения параметра Френеля, при которых дифракционные потери с торцов брэгговской структуры обеспечивают установление стационарного одномодового режима генерации с узким угловым спектром. Показано, что при больших значениях параметра Френеля стабильность генерации повышается при смещении частоты рабочего перехода к частоте продольной моды брэгговского резонатора с наибольшей добротностью.

Ключевые слова: брэгговские резонаторы, дифракционные потери, связанные волны, селекция мод, одномодовая генерация.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49842.38


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1161–1165

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024