RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
2020
, том 54,
выпуск 8,
страницы
695–699
(Mi phts5183)
Эта публикация цитируется в
4
статьях
Электронные свойства полупроводников
Расчет волновых функций резонансных состояний акцепторов в узкозонных соединениях CdHgTe
М. С. Жолудев
ab
,
Д. В. Козлов
ab
,
Н. С. Куликов
ab
,
А. А. Разова
ab
,
В. И. Гавриленко
ab
,
С. В. Морозов
ab
a
Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b
Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Проведены расчеты волновых функций электрона в зоне проводимости бесщелевого твердого раствора HgCdTe в поле кулоновского акцептора. Определены энергии резонансных состояний.
Ключевые слова:
примесь, резонансные состояния, кадмий-ртуть-теллур, волновая функция.
Поступила в редакцию:
06.04.2020
Исправленный вариант:
12.04.2020
Принята в печать:
12.04.2020
DOI:
10.21883/FTP.2020.08.49652.9404
Полный текст:
PDF файл (339 kB)
Список цитирования
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020,
54
:8,
827–831
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024