RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 695–699 (Mi phts5183)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Расчет волновых функций резонансных состояний акцепторов в узкозонных соединениях CdHgTe

М. С. Жолудевab, Д. В. Козловab, Н. С. Куликовab, А. А. Разоваab, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Проведены расчеты волновых функций электрона в зоне проводимости бесщелевого твердого раствора HgCdTe в поле кулоновского акцептора. Определены энергии резонансных состояний.

Ключевые слова: примесь, резонансные состояния, кадмий-ртуть-теллур, волновая функция.

Поступила в редакцию: 06.04.2020
Исправленный вариант: 12.04.2020
Принята в печать: 12.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49652.9404


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:8, 827–831

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024