Нерезонансное обращение волнового фронта света в оптически возбужденных пленках ZnO

Теоретически и экспериментально показана возможность нерезонансного обращения волнового фронта света в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках ZnO при комнатной температуре и накачке азотным лазером обнаружено индуцированное обращение волнового фронта света в видимой и инфракрасной областях спектра. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта от энергии падающего фотона и интенсивности лазерной накачки. Предлагается объяснение эффекта: изменение поглощения и преломления света на индуцированных лазером свободных носителях в полупроводниковой среде.